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중국 반도체산업, 투자규모 확대되지만 경쟁력 갖추는데 5년 이상 걸려

내년도 글로벌 신규 투자 금액 올해보다 31% 증가 예상

중국 반도체산업, 투자규모 확대되지만 경쟁력 갖추는데 5년 이상 걸려


[산업일보]
SEMI(국제반도체장비재료협회)가 2020년 글로벌 반도체 신규 팹 투자 금액을 500억 달러에 달할 것이라는 전망을 제시했다. 이는 올해 투자금액보다 31% 증가한 수치다.

NH투자증권이 발표한 ‘중국 반도체 투자 증가’ 보고서에 따르면, 올해 2분기 글로벌 반도체장비 출하액은 전년도 같은 기간 대비 3% 하락한 133억 달러로 집계됐다.

한국이 25억8천만 달러를 기록하면서 전분기 대비 11% 감소한 가운데 중국은 전분기 대비 43% 증가하며 33억 6천만 달러를 기록했다.

한국 지역 반도체 투자는 주로 메모리에 편중된 반면 중국 지역 반도체 투자는 한국 등 글로벌 반도체 기업의 중국 팹 투자와 비메모리 투자가 합산돼 있다.

2019년 메모리 수요 부진으로 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등의 메모리 신규 투자가 거의 없었다. 2019년 상반기 글로벌 DRAM 투자가 전년 대비 40% 감소했으며, NAND 투자는 60% 감소했다.

반면, 비메모리 투자는 증가세를 지속 중이다. 인텔의 14nm 캐파 부족으로 인텔이 신규 팹 투자를 강화하고 있으며, TSMC도 캐파 부족으로 투자를 늘리고 있다. 삼성전자도 파운드리 투자 강화를 위해 EUV 팹 등 투자를 증가시키고 있는 상황이다.

NH투자증권 관계자는 올해 연말 혹은 2020년 초 메모리 반도체 신규 팹 발주가 가능할 것으로 추정했다. 이러한 추정이 현실화 될 경우 전공정 메모리 반도체 장비 업체에게 긍정적인 영향을 미칠 것이라고 내다봤다.

한편, 시장에서 중국 칭화유니그룹의 DRAM 투자에 대한 우려를 표하고 있다. 중국 칭화유니그룹이 10년간 DRAM 양산에 8천억 위안을 투자한다는 보도가 이어지고 있는데, 이를 순수 생산능력으로 계산했을 때 월 1천K 이상에 달하는 규모다. 이는 현재 전세계 DRAM캐파를 모두 더한 것과 비슷한 수준이다.

NH투자증권의 도현우 연구원은 “칭화유니의 과거 행보를 고려했을 때 해당 DRAM 투자 뉴스에 대해서 민감하게 반응할 필요가 없다”며, “4년 전 칭화유니가 NAND 100K 규모 팹 3개에 30조 원을 투자하겠다고 발표한 후, 아직까지 시제품조차 제대로 양산을 못하고 있다. DRAM 양산은 NAND보다 난이도가 더 높기 때문에 중국에서 글로벌 업체와 경쟁할만한 DRAM 기술을 확보하는데 최소 5년 이상의 시간이 필요할 것”이라고 전망했다.
김진성 기자 weekendk@kidd.co.kr

안녕하세요~산업1부 김진성 기자입니다. 스마트공장을 포함한 우리나라 제조업 혁신 3.0을 관심깊게 살펴보고 있으며, 그 외 각종 기계분야와 전시회 산업 등에도 한 번씩 곁눈질하고 있습니다.

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