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로옴, 新모듈 6월부터 양산…고효율화, 소형화에 기여

100A부터 600A까지 커버하는 Full SiC 모듈의 라인업 확충

로옴, 新모듈 6월부터 양산…고효율화, 소형화에 기여
1200V 400A, 600A Full SiC 파워 모듈 패키지

[산업일보]
로옴(ROHM)은 전류정격이 큰 제품을 스위칭할 때 서지 전압의 영향을 억제한 새로운 모듈을 개발해 6월부터 양산할 것이라고 20일 밝혔다.

1200V 400A, 600A 정격의 Full SiC 파워 모듈 BSM400D12P3G002, BSM600D12P3G001은 산업기기용 전원, 태양광 발전 파워 컨디셔너 및 UPS 등의 인버터, 컨버터용으로 개발했다고 로옴은 설명했다.

로옴은 지난 2012년 3월, 내장 파워 반도체 소자를 모두 실리콘 카바이드로 구성한 Full SiC 파워 모듈 양산을 개시했다. 이후, 1200V, 300A 정류정격까지의 제품을 전개하여, 다양한 분야에서 채용을 추진하고 있다. 이번에 개발한 패키지로 IGBT 모듈 시장에서 주요한 전류정격 범위인 100A부터 600A까지 커버하는 Full SiC 모듈의 라인업 확충에 성공함에 따라, 관련 분야에서의 수요가 확대될 것으로 기대되고 있다.

로옴에 따르면, 신제품은 600A까지 정격을 구현함에 따라 산업기기용 대용량 전원 등 한층 더 대전력의 애플리케이션에 대한 대응이 가능해졌다. 또한, 전류정격이 동등한 일반 IGBT 모듈에 비해 스위칭 손실을 64% 저감(칩 온도 150℃ 시)할 수 있어서 애플리케이션의 에너지를 절감할 수 있다. 뿐만 아니라, 고주파 구동에 따른 주변 부품의 소형화는 물론, 고주파 구동 시 스위칭 손실 저감 효과가 커지기 때문에 냉각 시스템 등의 소형화에도 효과가 높다. 예를 들어, SiC 모듈을 사용할 경우, 냉각 기구에서의 손실 시뮬레이션을 바탕으로 한 계산식에서 전류정격이 동등한 IGBT 모듈과 비교 시 수냉 히트싱크를 88% 소형화할 수 있다고 전했다.

이 모듈은 6월부터 샘플 출하 및 양산을 개시할 예정으로 전공정의 경우는 후쿠오카 소재의 로옴 아폴로 주식회사에서, 후공정은 교토 소재의 로옴 본사 공장에서 담당할 예정이라고 로옴은 밝혔다.
김원정 기자 vuswlq@kidd.co.kr

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